电源技术

英飞凌推出基于PQFN 3.3x3.3 mm封装的OptiMOS源极底置25 V功率MOSFET

英飞凌科技股份公司通过专注于解决当前电源管理设计面临的挑战,来实现系统创新和组件水平的改进。“源极底置”是符合行业标准的全新封装概 ...
02月18日 18:00   |  
功率MOSFET   OptiMOS  

Diodes 公司推出的第二代 USB PD 控制器为低待机功率的快速充电器解决方案提供平台

Diodes 公司推出的第二代 USB PD 控制器为低待机功率的快速充电器解决方案提供平台
Diodes 公司推出 AP43771 USB Type-C 供电 (PD) 控制器,具备嵌入式微控制器与一次性可编程内存。若结合 Diodes 公司的互补技术,AP43771 可 ...
02月18日 17:41   |  
Type-C   USB供电   AP43771  

逆变化使电网更环保

逆变化使电网更环保
作者:安森美半导体工业及云电源公司营销及战略高级经理Ali Husain @ petovarga / Adobe Stock 随着世界努力应对防止灾难性气候变化 ...
02月18日 10:41   |  
IGBT   逆变器   电网  

设计人员在为产品添加USB Type-C连接时需要了解的信息

设计人员在为产品添加USB Type-C连接时需要了解的信息
作者Daniel Leih,Microchip 在过去的几年里,有许多文章都对USB-C连接器的优点交口称赞。除了它的万兆每秒(Gbps)带宽和交替模式视频功 ...
02月18日 10:34   |  
USB-C   Type-C   USB供电  

非隔离升压高PF无频闪低成本方案 PM2303 50W

非隔离升压高PF无频闪低成本方案 PM2303 50W
非隔离升压高PF无频闪低成本方案 PM2303 50W[/backcolor] 产品需求:过认证--EMC/谐波/浪涌等[/backcolor] [/backcolor] ...
02月17日 11:29   |  
非隔离   升压   高PF无频闪   低成本   PM2303  

高PF 无频闪 符合新欧规 LED 线性 DOB方案 PM2026

高PF 无频闪 符合新欧规 LED 线性 DOB方案 PM2026
[/backcolor]高PF 无频闪 符合新欧规标准 线性PM2026 PF无频闪方案的刚性需求—IEC61000-3-2-2019 P23 谐波要求:3rd
02月17日 10:59   |  
高PF   无频闪   线性   DOB   PM2026  

纳微半导体65W 氮化镓(GaN)方案获小米10 Pro充电器采用

纳微半导体65W 氮化镓(GaN)方案获小米10 Pro充电器采用
充电技术推动小米投资纳微(Navitas)半导体 小米集团和纳微(Navitas)宣布,其GaNFast充电技术已被小米采用,用于旗舰产品Mi 10 PRO智 ...
02月17日 10:54   |  
65W   氮化镓   GaN   充电器  

全新600 V CoolMOS PFD7系列助力实现全新水平的超高功率密度设计

通过立足于超结技术创新和20多年的丰富经验,英飞凌科技股份公司进一步扩展其CoolMOS产品组合,推出全新PFD7系列,该系列不仅具备一流的性能 ...
02月14日 18:58   |  
PFD7   CoolMOS   高功率密度  

高功效比电池化成

高功效比电池化成
Power Efficient Battery Formation 作者:Seraph Hu ADI公司营销超碰caoporn师 摘要 ADI公司提供基于单硅芯片的电池化成控制系统综合解 ...
02月14日 18:54   |  
化成   AD8452  

XP Power 推出 20W & 40W 板上 PCB 型 AC-DC 电源,适用于对价格敏感的应用

XP Power 推出 20W & 40W 板上 PCB 型 AC-DC 电源,适用于对价格敏感的应用
XP Power正式宣布推出两款新的板上PCB安装单输出AC-DC电源,为现代家庭、物联网(IoT)和工业技术应用提供一个方便、经济的解决方案。 ...
02月14日 18:45   |  
AC-DC   VCE20   VCE40  

儒卓力新品:具有降压-升压拓扑的Recom 半砖型DC/DC转换器

儒卓力新品:具有降压-升压拓扑的Recom 半砖型DC/DC转换器
Recom采用半砖型包装的降压-升压转换器RBBA3000可提供高达3000W的输出功率和98%的转换效率。它采用基板冷却方式,并允许对输出电压和最大电 ...
02月12日 18:11   |  
Recom   半砖   DC-DC   RBBA3000  

德州仪器EMI优化集成变压器技术将电力传输隔离小型化为IC尺寸封装

德州仪器EMI优化集成变压器技术将电力传输隔离小型化为IC尺寸封装
在高压工业应用中,超碰caoporn师们可以使用全新的高密度隔离式DC/DC偏置电源,将电源解决方案缩小80%,从而最大限度地提高效率 德州仪器(TI) ...
02月12日 16:34   |  
UCC12050   高效隔离   DC-DC  

Vishay推出采用PowerPAK 1212 8S封装的-30 V P沟道MOSFET,RDS(ON)达到业内最低水平,提高功率密度,降低便携式一级黄色录像影片设备功耗

Vishay推出采用PowerPAK 1212 8S封装的-30 V P沟道MOSFET,RDS(ON)达到业内最低水平,提高功率密度,降低便携式一级黄色录像影片设备功耗
器件占位面积10.89 mm2,RDS(ON)降至3.5 mΩ,FOM降至172 m*nC,均为业内最佳水平 Vishay推出新型-30 V p沟道TrenchFET第四代 ...
02月12日 15:48   |  
TrenchFET   p沟道   SiSS05DN  

将600 V输入、非光耦合器隔离反激式控制器的电源电压扩展至800 V或更高

将600 V输入、非光耦合器隔离反激式控制器的电源电压扩展至800 V或更高
Extending the Supply Voltage of a 600 V Input, No-Optocoupler Isolated Flyback Controller to 800 V or Higher 作者: ADI公司 ...
02月12日 15:37   |  
反激式   600V   LT8316   高压   无光耦  

Vishay推出高效80 V MOSFET,导通电阻与栅极电荷乘积即优值系数达到同类产品最佳水平

Vishay推出高效80 V MOSFET,导通电阻与栅极电荷乘积即优值系数达到同类产品最佳水平
器件采用PowerPAK SO-8单体封装,导通电阻降至2.35 m,栅极电荷为55 nC,COSS为614 pF Vishay推出新款6.15 mm x 5.15 mm PowerP ...
02月11日 10:16   |  
MOSFET   SiR680ADP   TrenchFET   n沟道  
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